SGT40T120FD1P7 NPN•312 W•1.2 kV•80 A

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SGT40T120FD1P7 Транзистор IGBT
NPN•312 W•1.2 kV•80 A
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час увімкнення | 42ns |
| Час вимкнення | 290ns |
| Заряд затвора | 222 nC |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна розсіювана потужність, Вт | 570 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Напруга затвора — еміттер, В | 20 |
| Напруга колектор-емітер, В | 1200 |
| Напруга насичення колектор-емітер, В | 2.1 |
| Тип корпусу | TO-247 |
| Струм колектора, А | 80 |
- Ціна: 377,50 ₴

