SGT40T120FD1P7 NPN•312 W•1.2 kV•80 A

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SGT40T120FD1P7 Транзистор IGBT
NPN•312 W•1.2 kV•80 A
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Silan Microelectronics |
| Пользовательские характеристики | |
| Время включения | 42ns |
| Время выключения | 290ns |
| Заряд затвора | 222 nC |
| Макс. рабочая температура, С | 175 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 570 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | THT |
| Напряжение затвор - эмиттер, В | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1200 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.1 |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Ток коллектора, А | 80 |
- Цена: 390 ₴

