SGT25U120FD1P7 IGBT + Diode, N, 278 W, Vce: 1200 V, Ic: 50 A, 128 pF
308,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00076662
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SGT25U120FD1P7 IGBT + Diode, N, 278 W, Vce: 1200 V, Ic: 50 A, 128 pF
308,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SGT25U120FD1P7 Транзистор IGBT
IGBT + Diode, N, 278 W, Vce: 1200 V, Ic: 50 A, 128 pF
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Користувальницькі характеристики | |
| Заряд затвора | 91 nC |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна розсіювана потужність, Вт | 278 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Напруга затвора — еміттер, В | 20 |
| Напруга колектор-емітер, В | 1200 |
| Напруга насичення колектор-емітер, В | 2.2 |
| Тип корпусу | TO-247 |
| Струм колектора, А | 50 |
- Ціна: 308,75 ₴
