SGT25U120FD1P7 IGBT + Diode, N, 278 W, Vce:1200 V, Ic:50 A, 128 pF
318,75 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 400 ₴
- В наличии
- Код: 00-00076662
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
SGT25U120FD1P7 IGBT + Diode, N, 278 W, Vce:1200 V, Ic:50 A, 128 pF
318,75 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SGT25U120FD1P7 Транзистор IGBT
IGBT + Diode, N, 278 W, Vce:1200 V, Ic:50 A, 128 pF
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Silan Microelectronics |
| Пользовательские характеристики | |
| Заряд затвора | 91 nC |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 278 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | THT |
| Напряжение затвор - эмиттер, В | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1200 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.2 |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Ток коллектора, А | 50 |
- Цена: 318,75 ₴
