RJP30H1DPD Одиночные IGBT транзисторы корпус: TO-252, Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
108,75 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 400 ₴
- В наличии
- Код: 00-00065724
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
RJP30H1DPD Одиночные IGBT транзисторы корпус: TO-252, Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
108,75 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
RJP30H1DPD Транзистор IGBT
Одиночные IGBT транзисторы корпус: TO-252, Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Renesas |
| Пользовательские характеристики | |
| Время включения | 20ns |
| Время выключения | 40ns |
| Заряд затвора | 23 nC |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 40 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 360 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.5 |
| Тип корпуса | TO-252 |
| Ток коллектора, А | 30 |
- Цена: 108,75 ₴
