MSG80N350HLC0 IGBT + Diode: N, Vce: 330 V, Vge: 30V, 320 pF, VGEth: 5.5 V, 175 nC.
357,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00078939
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
MSG80N350HLC0 IGBT + Diode: N, Vce: 330 V, Vge: 30V, 320 pF, VGEth: 5.5 V, 175 nC.
357,50 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
MSG80N350HLC0 Транзистор IGBT
IGBT + Diode: N, Vce: 330 V, Vge: 30V, 320 pF, VGEth: 5.5 V, 175 nC.
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Час наростання _x000D_ типове | 120 nS |
| Вихідна ємність, _x000D_ типова | 320 pF |
| Максимальна _x000D_ розсіювана потужність | 420 W |
| Максимальна _x000D_ температура переходу | 150 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустима напруга іміттер-закрив | 30 V |
| Максимальне _x000D_ порогонова напруга затвора-емітер | 5.5 V |
| Максимальний _x000D_ постійний струм колектора | 180 A @25℃ |
| Напруга насичення _x000D_ колектор-емітер — типове | 1.3 V @25℃ |
| Загальний заряд затвора, _x000D_ typ | 175 nC |
| Гранично-допустиме _x000D_ напруга колектор-емітер | 330 V |
| Тип корпусу | TO247 |
| Тип транзизора | IGBT + Diode |
| Тип керівного _x000D_ каналу | N |
- Ціна: 357,50 ₴
