MSG60T65HFC0 IGBT транзистор, TO-247, 650 В, 120 А, 150 °C

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
MSG60T65HFC0 Транзистор IGBT
IGBT транзистор, TO-247, 650 В, 120 А, 150 °C
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Максимальная _x000D_ температура перехода | 150 °C |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Максимальное _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер | 650 В |
| Максимальный ток _x000D_ коллектора | 120 А при 25 °C |
| Тип устройства | IGBT (биполярный _x000D_ транзистор с изолированным затвором) |
| Типичная выходная _x000D_ емкость | 130 пФ |
| Типичная скорость _x000D_ нарастания | 79 нс |
| Типичное напряжение _x000D_ насыщения | 1,85 В при 25 °C |
| Типичный полный заряд _x000D_ затвора | 158 нКл |
- Цена: 448,75 ₴

