MSG50N350HLC0 IGBT + Diode, 302 W, 100 A @25℃, 1.55 V @25℃, TO247
331,25 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 400 ₴
- В наличии
- Код: 00-00078936
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
MSG50N350HLC0 IGBT + Diode, 302 W, 100 A @25℃, 1.55 V @25℃, TO247
331,25 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
MSG50N350HLC0 Транзистор IGBT
IGBT + Diode, 302 W, 100 A @25℃, 1.55 V @25℃, TO247
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Время нарастания _x000D_ типовое | 93 nS |
| Выходная емкость, _x000D_ типовая | 2188 pF |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность | 302 W |
| Максимальная _x000D_ температура перехода | 150 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустимое напряжение эмиттер-затвор | 30 V |
| Максимальное _x000D_ пороговое напряжение затвор-эмиттер | 5.5 V |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора | 100 A @25℃ |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер типовое | 1.55 V @25℃ |
| Общий заряд затвора, _x000D_ typ | 175 nC |
| Предельно-допустимое _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер | 350 V |
| Тип корпуса | TO247 |
| Тип транзистора | IGBT + Diode |
| Тип управляющего _x000D_ канала | N |
- Цена: 331,25 ₴
