IKW75N65ET7XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 333 Вт, 650 В

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IKW75N65ET7XKSA1 Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 333 Вт, 650 В
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Время включения | 28ns |
| Время выключения | 310ns |
| Заряд затвора | 435 nC |
| Макс. рабочая температура, С | 175 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 333 |
| Мин. рабочая температура, С | -40 |
| Монтаж | THT |
| Напряжение затвор - эмиттер, В | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.65 |
| Тип корпуса | TO-247-3 |
| Ток коллектора, А | 80 |
- Цена: 831,25 ₴

