IHW50N65R5XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 282 Вт, 650 В

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IHW50N65R5XKSA1 Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 282 Вт, 650 В
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Время включения | 50ns |
| Время выключения | 218ns |
| Заряд затвора | 230 nC |
| Макс. рабочая температура, С | 175 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 141 |
| Мин. рабочая температура, С | -40 |
| Монтаж | THT |
| Напряжение затвор - эмиттер, В | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.35 |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Ток коллектора, А | 50 |
- Цена: 853,75 ₴

