IGB10N60T IGBT транзистор, 10 А, 2.05 В, 110 Вт, 600 В

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IGB10N60T Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 10 А, 2.05 В, 110 Вт, 600 В
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Время включения | 12ns |
| Время выключения | 215ns |
| Заряд затвора | 62 nC |
| Макс. рабочая температура, С | 175 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 110 |
| Мин. рабочая температура, С | -40 |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение затвор - эмиттер, В | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.05 |
| Тип корпуса | D2PAK |
| Ток коллектора, А | 10 |
- Цена: 162,50 ₴

