GT50JR21 Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
GT50JR21 Транзистор IGBT
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | TOS |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час увімкнення | 0.25us |
| Час вимкнення | 0.37us |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна розсіювана потужність, Вт | 230 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Напруга затвора — еміттер, В | 25 |
| Напруга колектор-емітер, В | 600 |
| Напруга насичення колектор-емітер, В | 1.45 |
| Тип корпусу | TO-3P[N] |
| Струм колектора, А | 50 |
- Ціна: 310 ₴

