FGAF40N60SMD IGBT транзистор, 80 А, 1.9 В, 115 Вт, 600 В

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FGAF40N60SMD Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 80 А, 1.9 В, 115 Вт, 600 В
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Время включения | 12ns |
| Время выключения | 92ns |
| Заряд затвора | 119 nC |
| Макс. рабочая температура, С | 175 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 115 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | THT |
| Напряжение затвор - эмиттер, В | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.9 |
| Тип корпуса | TOP-3FP |
| Ток коллектора, А | 80 |
- Цена: 1 000 ₴

