FGA6560WDF Транзистор: IGBT N-CH 650V 120A 306000mW

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FGA6560WDF Транзистор IGBT
Транзистор: IGBT N-CH 650V 120A 306000mW
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Время включения | 25.6ns |
| Время выключения | 71ns |
| Заряд затвора | 84 nC |
| Макс. рабочая температура, С | 175 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 153 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | THT |
| Напряжение затвор - эмиттер, В | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.8 |
| Тип корпуса | TO-3P[N] |
| Ток коллектора, А | 60 |
- Цена: 358,75 ₴

