SIS412DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 12А, Idm: 30А, 10Вт
20 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00077267
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SIS412DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 12А, Idm: 30А, 10Вт
20 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SIS412DN-T1-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 12А, Idm: 30А, 10Вт
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 3.2W (Ta) 15.6W (Tc) |
| Місткість затвора | 435 pF @ 15 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 12 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 12 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 2.5V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 24mOhm @ 7.8A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | PPAK1212-8 |
- Ціна: 20 ₴
