SI1308EDL-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 1,4А, Idm: 6А, 0,3Вт
38,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00070253
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SI1308EDL-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 1,4А, Idm: 6А, 0,3Вт
38,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SI1308EDL-T1-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 1,4А, Idm: 6А, 0,3Вт
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 400mW (Ta) 500mW (Tc) |
| Місткість затвора | 105 pF @ 15 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 2.5V 10V |
| Заряд затвора | 4.1 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±12V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 1.4 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 1.5V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 132mOhm @ 1.4A, 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | SC70-3 |
- Ціна: 38,75 ₴
