MMBFJ177LT1G ПТ з керуючим pn-переходом (JFET), польовий транзистор з pn переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА
20 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00032507
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
MMBFJ177LT1G ПТ з керуючим pn-переходом (JFET), польовий транзистор з pn переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА
20 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
MMBFJ177LT1G Транзистор польовий MOSFET
ПТ з керуючим pn-переходом (JFET), польовий транзистор з pn переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 225mW (Ta) |
| Місткість затвора | 11pF @ 10V (VGS) |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±25V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 800 mV @ 10 nA |
| Опір каналу у відкритому стані | 300 Ohms |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | SOT-23 |
- Ціна: 20 ₴
