MMBFJ177LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА
20 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 400 ₴
- В наличии
- Код: 00-00032507
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
MMBFJ177LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА
20 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
MMBFJ177LT1G Транзистор полевой MOSFET
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Pd - Рассеиваемая мощность | 225mW (Ta) |
| Ёмкость затвора | 11pF @ 10V (VGS) |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±25V |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 30 V |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Пороговое напряжение на затворе | 800 mV @ 10 nA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 300 Ohms |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпуса | SOT-23 |
- Цена: 20 ₴
