MMBFJ113 ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 2 мА, -3 В

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
MMBFJ113 Транзистор полевой MOSFET
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, -35 В, 2 мА, -3 В
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ONS |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - Рассеиваемая мощность | 350mW (Ta) |
| Ёмкость затвора | 28 pF @ 0 V |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 35 V |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Пороговое напряжение на затворе | 500mV @ 1µA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 100Ohms |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпуса | SOT-23 |
- Цена: 20 ₴

