MMBF170LT1G MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 500 мА: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
![MMBF170LT1G MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 500 мА: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:, фото 1](https://images.prom.ua/6928345744_mmbf170lt1g-mosfet-silovoj.jpg)
13,75 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 400 ₴
- В наличии
- Код: 00-00032505
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
MMBF170LT1G MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 500 мА: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
![MMBF170LT1G MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 500 мА: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:](https://images.prom.ua/6928345744_w640_h640_mmbf170lt1g-mosfet-silovoj.jpg)
13,75 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
MMBF170LT1G Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 500 мА: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ONS |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - Рассеиваемая мощность | 225mW (Ta) |
| Ёмкость затвора | 60 pF @ 10 V |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | 10V |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±20V |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 60 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А | 0.5 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V @ 1mA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпуса | SOT-23 |
- Цена: 13,75 ₴
