IRF820APBF MOSFET силовий транзистор - [TO-200AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 10 А: Rсі (вкл): 3 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
![IRF820APBF MOSFET силовий транзистор - [TO-200AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 10 А: Rсі (вкл): 3 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:, фото 1](https://images.prom.ua/6928343863_irf820apbf-mosfet-silovij.jpg)
61,25 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00031904
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IRF820APBF MOSFET силовий транзистор - [TO-200AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 10 А: Rсі (вкл): 3 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
![IRF820APBF MOSFET силовий транзистор - [TO-200AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 10 А: Rсі (вкл): 3 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:](https://images.prom.ua/6928343863_w640_h640_irf820apbf-mosfet-silovij.jpg)
61,25 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRF820APBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [TO-200AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 10 А: Rсі (вкл): 3 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв (макс) : 30 В
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 50W (Tc) |
| Місткість затвора | 340 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 17 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±30V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 500 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 2.5 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4.5V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 3Ohm @ 1.5A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-200AB |
- Ціна: 61,25 ₴
