IRF5803D2PBF Транзистор: P-MOSFET, польовий, -40В, -3,4А, 2Вт
23,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00031759
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IRF5803D2PBF Транзистор: P-MOSFET, польовий, -40В, -3,4А, 2Вт
23,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRF5803D2PBF Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: P-MOSFET, польовий, -40В, -3,4А, 2Вт
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 2W (Ta) |
| Місткість затвора | 1110 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 37 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 40 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 3.4 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 3V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 112mOhm @ 3.4A, 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | SO8 |
- Ціна: 23,75 ₴
