HYG015N04LS1C2 40V 150A 1.4mΩ@10V 75W 1.9V 1 N-channel MOSFETs

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
HYG015N04LS1C2 Транзистор польовий MOSFET
40V 150A 1.4mΩ@10V 75W 1.9V 1 N-channel MOSFETs
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Користувальницькі характеристики | |
| Вхідна ємність (Ciss) | 4.05 нФ |
| Заряд затвора (Qg) | 59 нКл за 10 В |
| Корпус | DFN-8 (5.2×5.9 мм) |
| Напруга стік-висток _x000D_ (Vds) | 40 В |
| Зворотна прохідна _x000D_ ємність (Crss) | 33 пФ за 25 В |
| Порогова напруга _x000D_ затвора (Vgs(th)) | 1.9 В |
| Постійний струм стоку _x000D_ (Id) | 150 А |
| Розсіювана потужність _x000D_ (Pd) | 75 Вт |
| Опір _x000D_ стік-висток (RDS(on)) | 1.4 мΩ за 10 В |
| Температура _x000D_ експлуатації | от -55 °C до _x000D_ +175 °C |
| Тип | 1 N-канальний |
- Ціна: 60 ₴

