FDS8884 MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9: Тип: N: Uси: 30 В: Iс (25 ° C): 8.5 А: Rсі (вкл): 23 ... 30 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10

43,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00051032
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
FDS8884 Транзистор польовий MOSFET
MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9: Тип: N: Uси: 30 В: Iс (25 ° C): 8.5 А: Rсі (вкл): 23 ... 30 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В: Qзатв: 5 нКл
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fair |
| Тип корпусу | SO8 |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 2.5W (Ta) |
| Місткість затвора | 635 pF @ 15 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 13 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 155 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 8.5 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 2.5V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 23mOhm @ 8.5A, 10V |
| Структура | N-Channel |
- Ціна: 43,75 ₴

