FDS6675BZ MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FDS6675BZ Транзистор полевой MOSFET
MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ONS |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - Рассеиваемая мощность | 2.5W (Ta) |
| Ёмкость затвора | 2470 pF @ 15 V |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 62 nC @ 10 V |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±25V |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 30 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А | 11 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V @ 250µA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 13mOhm @ 11A 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпуса | SO8 |
- Цена: 60 ₴

