FDN352AP Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -1,3А, 500мВт

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FDN352AP Транзистор полевой MOSFET
Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -1,3А, 500мВт
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ONS |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - Рассеиваемая мощность | 500mW (Ta) |
| Ёмкость затвора | 150 pF @ 15 V |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 1.9 nC @ 4.5 V |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±25V |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 30 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А | 1.3 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V @ 250µA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 180mOhm @ 1.3A 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпуса | SOT-23 |
- Цена: 20 ₴

