Кошик
2672 відгуків
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
+380 (97) 037-75-90
+380 (73) 156-87-00
+380 (50) 547-59-69
Кошик

FDN352AP Транзистор P-MOSFET, польовий, -30В, -1,3А, 500мВт

FDN352AP Транзистор P-MOSFET, польовий, -30В, -1,3А, 500мВт, фото 1

20 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴

  • В наявності
  • Код: 00-00074454
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
FDN352AP Транзистор P-MOSFET, польовий, -30В, -1,3А, 500мВтFDN352AP Транзистор P-MOSFET, польовий, -30В, -1,3А, 500мВт
20 ₴
В наявності
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
FDN352AP Транзистор польовий MOSFET
Транзистор P-MOSFET, польовий, -30В, -1,3А, 500мВт
Основні
ВиробникONS
Користувальницькі характеристики
Pd — Розсіювана потужність500mW (Ta)
Місткість затвора150 pF @ 15 V
Діапазон номінальних напруг затвора4.5V 10V
Заряд затвора1.9 nC @ 4.5 V
Макс. робоча температура,150
Максимальна напруга затворів-висток±25V
Максимальна напруга стік-висток, В30 V
Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А1.3
Мін. робоча температура,-55
МонтажSMD
Порогова напруга на затворі2.5V @ 250µA
Опір каналу у відкритому стані180mOhm @ 1.3A 10V
СтруктураP-Channel
Тип корпусуSOT-23
  • Ціна: 20 ₴