Корзина
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
+380 (97) 037-75-90
+380 (73) 156-87-00
+380 (50) 547-59-69
Корзина

FDN352AP Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -1,3А, 500мВт

FDN352AP Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -1,3А, 500мВт, фото 1

20 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 400 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00074454
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
FDN352AP Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -1,3А, 500мВтFDN352AP Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -1,3А, 500мВт
20 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FDN352AP Транзистор полевой MOSFET
Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -1,3А, 500мВт
Основные
ПроизводительONS
Пользовательские характеристики
Pd - Рассеиваемая мощность500mW (Ta)
Ёмкость затвора150 pF @ 15 V
Диапазон номинальных напряжений затвора4.5V 10V
Заряд затвора1.9 nC @ 4.5 V
Макс. рабочая температура, С150
Максимальное напряжение затвор-исток±25V
Максимальное напряжение сток-исток, В30 V
Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А1.3
Мин. рабочая температура, С-55
МонтажSMD
Пороговое напряжение на затворе2.5V @ 250µA
Сопротивление канала в открытом состоянии180mOhm @ 1.3A 10V
СтруктураP-Channel
Тип корпусаSOT-23
  • Цена: 20 ₴