FDN302P MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: P: Uси: 20 В: Iс(25°C): 2.4 А: Rси(вкл): 55 мОм, Uзатвор 4,5...10 В.
![FDN302P MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: P: Uси: 20 В: Iс(25°C): 2.4 А: Rси(вкл): 55 мОм, Uзатвор 4,5...10 В., фото 1](https://images.prom.ua/6928342653_fdn302p-mosfet-silovoj.jpg)
36,25 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 400 ₴
- В наличии
- Код: 00-00046071
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
FDN302P MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: P: Uси: 20 В: Iс(25°C): 2.4 А: Rси(вкл): 55 мОм, Uзатвор 4,5...10 В.
![FDN302P MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: P: Uси: 20 В: Iс(25°C): 2.4 А: Rси(вкл): 55 мОм, Uзатвор 4,5...10 В.](https://images.prom.ua/6928342653_w640_h640_fdn302p-mosfet-silovoj.jpg)
36,25 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FDN302P Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: P: Uси: 20 В: Iс(25°C): 2.4 А: Rси(вкл): 55 мОм, Uзатвор 4,5...10 В.
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Pd - Рассеиваемая мощность | 500mW (Ta) |
| Ёмкость затвора | 882 pF @ 10 V |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | 2.5V 4.5V |
| Заряд затвора | 14 nC @ 4.5 V |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±12V |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 20 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А | 2.4 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V @ 250µA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 55mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпуса | SOT23-3 |
- Цена: 36,25 ₴
