FDD5614P MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс(25°C): 15 А: Rси(вкл): 0.1...0.13 Ом
![FDD5614P MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс(25°C): 15 А: Rси(вкл): 0.1...0.13 Ом, фото 1](https://images.prom.ua/6928342650_fdd5614p-mosfet-silovoj.jpg)
47,50 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 400 ₴
- В наличии
- Код: 00-00045984
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
FDD5614P MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс(25°C): 15 А: Rси(вкл): 0.1...0.13 Ом
![FDD5614P MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс(25°C): 15 А: Rси(вкл): 0.1...0.13 Ом](https://images.prom.ua/6928342650_w640_h640_fdd5614p-mosfet-silovoj.jpg)
47,50 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FDD5614P Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс(25°C): 15 А: Rси(вкл): 0.1...0.13 Ом
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Pd - Рассеиваемая мощность | 3.8W (Ta) 42W (Tc) |
| Ёмкость затвора | 759 pF @ 30 V |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 24 nC @ 10 V |
| Макс. рабочая температура, С | 175 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±20V |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 60 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А | 15 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V @ 250µA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 100mOhm @ 4.5A, 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпуса | TO-252-3 |
- Цена: 47,50 ₴
