FDD5614P MOSFET силовий транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 15 А: Rсі (вкл): 0.1 ... 0.13 Ом
![FDD5614P MOSFET силовий транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 15 А: Rсі (вкл): 0.1 ... 0.13 Ом, фото 1](https://images.prom.ua/6928342650_fdd5614p-mosfet-silovij.jpg)
47,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00045984
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
FDD5614P MOSFET силовий транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 15 А: Rсі (вкл): 0.1 ... 0.13 Ом
![FDD5614P MOSFET силовий транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 15 А: Rсі (вкл): 0.1 ... 0.13 Ом](https://images.prom.ua/6928342650_w640_h640_fdd5614p-mosfet-silovij.jpg)
47,50 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
FDD5614P Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 15 А: Rсі (вкл): 0.1 ... 0.13 Ом
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 3.8W (Ta) 42W (Tc) |
| Місткість затвора | 759 pF @ 30 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 24 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 60 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 15 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 3V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 100mOhm @ 4.5A, 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | TO-252-3 |
- Ціна: 47,50 ₴
