Кошик
2672 відгуків
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! Відправка від 1 до 5 днів! На деякі товари може бути передплата!
+380 (97) 037-75-90
+380 (73) 156-87-00
+380 (50) 547-59-69
Кошик

BF999E6327HTSA1 Транзистор: N-MOSFET: польовий: RF: 12В: 30мА: 200мВт

BF999E6327HTSA1 Транзистор: N-MOSFET: польовий: RF: 12В: 30мА: 200мВт, фото 1

27,50 ₴

Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴

  • В наявності
  • Код: 00-00056852
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
BF999E6327HTSA1 Транзистор: N-MOSFET: польовий: RF: 12В: 30мА: 200мВтBF999E6327HTSA1 Транзистор: N-MOSFET: польовий: RF: 12В: 30мА: 200мВт
27,50 ₴
В наявності
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
    Днем замовлення вважається той день
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
BF999E6327HTSA1 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET: польовий: RF: 12В: 30мА: 200мВт
Користувальницькі характеристики
Pd — Розсіювана потужність200W (Tc)
Макс. робоча температура,150
Максимальна напруга затворів-висток±10V
Максимальна напруга стік-висток, В20 V
Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А0.03
Мін. робоча температура,-55
МонтажSMD
Порогова напруга на затворі6.5V @ 10mA
СтруктураN-Channel
Тип корпусуSOT-23
  • Ціна: 27,50 ₴