AGM210MAP 20V 25A 35W [email protected],4A 700mV@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel
![AGM210MAP 20V 25A 35W [email protected],4A 700mV@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel, фото 1](https://images.prom.ua/6928352291_agm210map-20v-25a.jpg)
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
AGM210MAP Транзистор полевой MOSFET
20V 25A 35W [email protected] ,4A 700mV@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | AGM |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - Рассеиваемая мощность | 35W (Tc) |
| Ёмкость затвора | 150 pF @ 10 V |
| Заряд затвора | 23 nC @ 10 V |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±20V |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 20 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25С, макс А | 25 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V @ 250µA |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 11mOhm @ 4A 4.5V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпуса | DFN-8 |
- Цена: 22,50 ₴

![AGM210MAP 20V 25A 35W [email protected],4A 700mV@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel, фото 2](https://images.prom.ua/6928352292_w84_h84_agm210map-20v-25a.jpg)
