MMBT918LT1G Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 15 В, 600 МГц, 225 мВт, 50 мА, 20 hFE

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
MMBT918LT1G Биполярный ВЧ транзистор
Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 15 В, 600 МГц, 225 мВт, 50 мА, 20 hFE
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.05 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 15 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.05 A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 600 MHz |
| Рабочая температура | - 55 C ... + 150 C |
| Тип корпуса | SOT-23-3 |
- Цена: 18,75 ₴

