BFU730F,115 RF Bipolar Transistors NPN 55 GHz:5 mA:197 mW:10 V

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
BFU730F,115 Биполярный ВЧ транзистор
RF Bipolar Transistors NPN 55 GHz:5 mA:197 mW:10 V
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Пользовательские характеристики | |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Коэффициент усиления _x000D_ по постоянному току (hFE), макс. | 555 |
| Напряжение _x000D_ коллектор-база (VCBO) | 10 V |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 2.8 V |
| Напряжение _x000D_ эмиттер-база (VEBO) | 1 V |
| Непрерывный _x000D_ коллекторный ток | 5 mA |
| Рабочая частота | 55 GHz |
| Технология | SiGe |
| Тип транзистора | Bipolar |
- Цена: 38,75 ₴

