BC860CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 45 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 200 мВт: Fгран: 100 МГц: h21:
![BC860CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 45 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 200 мВт: Fгран: 100 МГц: h21:, фото 1](https://images.prom.ua/6928344471_bc860cw115-bipolyarnyj-tranzistor.jpg)
6,25 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 400 ₴
- В наличии
- Код: 00-00031395
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
BC860CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 45 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 200 мВт: Fгран: 100 МГц: h21:
![BC860CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 45 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 200 мВт: Fгран: 100 МГц: h21:](https://images.prom.ua/6928344471_w640_h640_bc860cw115-bipolyarnyj-tranzistor.jpg)
6,25 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
BC860CW.115 Транзистор биполярный
Биполярный транзистор - [SOT-323-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 45 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 200 мВт: Fгран: 100 МГц: h21: 420...800
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Пользовательские характеристики | |
| Коэффициент усиления (hFE) | 800 |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Мин. рабочая температура, С | -65 |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение коллектор-база, В | 50 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 45 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 0.3 |
| Напряжение эмиттер-база, В | 5 |
| Рассеиваемая мощность (Pd), mW | 200 mW |
| Структура | PNP |
| Тип корпуса | SOT323-3 |
| Ток коллектора, А | 0.1 |
- Цена: 6,25 ₴
