BC859CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3], Тип: PNP, UКЭ(макс): 30 В, IК(макс): 100 мА, Pрасс: 200 мВт, Fгран: 100 МГц, h21:
![BC859CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3], Тип: PNP, UКЭ(макс): 30 В, IК(макс): 100 мА, Pрасс: 200 мВт, Fгран: 100 МГц, h21:, фото 1](https://images.prom.ua/6928344366_bc859cw115-bipolyarnyj-tranzistor.jpg)
8,75 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 400 ₴
- В наличии
- Код: 00-00031393
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
BC859CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3], Тип: PNP, UКЭ(макс): 30 В, IК(макс): 100 мА, Pрасс: 200 мВт, Fгран: 100 МГц, h21:
![BC859CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3], Тип: PNP, UКЭ(макс): 30 В, IК(макс): 100 мА, Pрасс: 200 мВт, Fгран: 100 МГц, h21:](https://images.prom.ua/6928344366_w640_h640_bc859cw115-bipolyarnyj-tranzistor.jpg)
8,75 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
BC859CW.115 Транзистор биполярный
Биполярный транзистор - [SOT-323-3], Тип: PNP, UКЭ(макс): 30 В, IК(макс): 100 мА, Pрасс: 200 мВт, Fгран: 100 МГц, h21: 420...800
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Пользовательские характеристики | |
| Коэффициент усиления (hFE) | 800 |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Мин. рабочая температура, С | -65 |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение коллектор-база, В | 30 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 30 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 0.3 |
| Напряжение эмиттер-база, В | 5 |
| Рассеиваемая мощность (Pd), mW | 200 mW |
| Структура | PNP |
| Тип корпуса | SOT323-3 |
| Ток коллектора, А | 0.1 |
- Цена: 8,75 ₴
