LXES1UTAA1-157 Модуль защиты от электростатического разряда , DFN1006, 2 контакта, 6 В, LXESxxT

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
LXES1UTAA1-157 Микросхема
Модуль защиты от электростатического разряда , DFN1006, 2 контакта, 6 В, LXESxxT
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Cd - емкость диода | 0.5 pF |
| Vеср - напряжение _x000D_ электростатического разряда при воздушном зазоре | 15 kV |
| Vеср - напряжение _x000D_ электростатического разряда при контакте | 8 kV |
| Категория продукта | Диоды для защиты _x000D_ от ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Напряжение пробоя | 7 V |
| Полярность | Bidirectional |
| Производитель | MURATA |
| Рабочая температура | - 40 C ... + 85 C |
| Рабочее напряжение | 5.5 V |
| Тип выводов | SMD/SMT |
| Тип корпуса | DFN-1006-2 |
| Тип продукта | TVS Diodes |
- Цена: 13,75 ₴

