Name: RD01MUS1-T113 Транзистор MOSFET, 520МГц, 0.8Вт, 7.2В, 14.3dBm, SOT-89
SKU: 00-00053733
Price: 228.80 UAH
Availability: InStock

RD01MUS1-T113 Транзистор MOSFET, 520МГц, 0.8Вт, 7.2В, 14.3dBm, SOT-89

00-00053733

228,80 ₴
В наличии
ERA-3SM DC-3 GHz Drop-in Monilitic Amplifier, Gain=21 dB, P1dB=12,1 dB @ 1 GHz

00-00063176

341,30 ₴
В наличии
ALD110902PAL Тип: Сборки MOSFET: Uси, max, В: 10: Iс, max, А: 0,012: Uзи, В: 0,2: Rси, Ом: 500: Тип: 2N

00-00030946

413,80 ₴
В наличии
RD06HVF1-101 RF-MOSFET 175MHz 6W 12.5V TO220

00-00031139

785 ₴
В наличии
RD16HHF1-101 RF Power Transistor, 0.01 to 1 GHz, 16 W, 16 dB, 12.5 V

00-00031143

1 386,30 ₴
В наличии
RD15HVF1-101 RF Power Transistor, 0.05 to 1.05 GHz, 15 W, 14 dB, 12.5 V, Silicon

00-00031142

1 646,30 ₴
В наличии
SKKT106/12E Схема включения: KT. Макс. обратное напряжение: 1200 В. Макс. прямой ток: 106 А. Импульсный прямой ток (при Tjmax):

00-00032797

5 095 ₴
В наличии
SKKT57/12E Схема включения: KT. Макс. обратное напряжение: 1200 В. Макс. прямой ток: 50 А. Импульсный прямой ток (при Tjmax): 1250

00-00032802

5 086,25 ₴
В наличии
SKKT106/12E Схема включения: KT. Макс. обратное напряжение: 1200 В. Макс. прямой ток: 106 А. Импульсный прямой ток (при Tjmax):

00-00032797

5 095 ₴
В наличии
SKKT57/12E Схема включения: KT. Макс. обратное напряжение: 1200 В. Макс. прямой ток: 50 А. Импульсный прямой ток (при Tjmax): 1250

00-00032802

5 086,30 ₴
В наличии
STGIPN3H60AT Умный модуль питания (IPM), 3 фазы, IGBT, 600 В, 3 А, 1 кВ, NDIP, SLLIMM

00-00066724

998,75 ₴
В наличии
IRAMS06UP60A IGBT силовой модуль: 3 фазы, 600 В. 6 А.

00-00049015

3 800 ₴
В наличии
STGIPN3H60AT Умный модуль питания (IPM), 3 фазы, IGBT, 600 В, 3 А, 1 кВ, NDIP, SLLIMM

00-00066724

998,80 ₴
В наличии
IRAMS06UP60A IGBT силовой модуль: 3 фазы, 600 В. 6 А.

00-00049015

3 800 ₴
В наличии
IRSM836-044MATR IGBT силовой модуль - [36 lead PQFN 12x12]: Напряжение: 250 В: Ток: 4 А: Ключей: 6

00-00045445

1 268,80 ₴
В наличии
AOD409 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -18А, 30Вт, TO252
00-00053953

51,25 ₴
Нет в наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00
  или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
FDC5614P МОП-транзистор, P Канал, -3 А, -60 В, 0.105 Ом, -10 В, -1.6 В
00-00062466

101,25 ₴
Нет в наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00
  или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
JMSH1004AE 100V 190A 250W 3mΩ@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263-3 MOSFETs
00-00079969

75 ₴
Нет в наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00
  или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
IRFB4228PBF-VB 150V 100A 8.5mΩ@10V 1 N-channel TO-220 MOSFETs
00-00077506

208,75 ₴
Нет в наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00
  или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
AOD409 Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -18А, 30Вт, TO252
00-00053953

51,30 ₴
Нет в наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00
  или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
FDC5614P МОП-транзистор, P Канал, -3 А, -60 В, 0.105 Ом, -10 В, -1.6 В
00-00062466

101,30 ₴
Нет в наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00
  или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
JMSH1004AE 100V 190A 250W 3mΩ@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263-3 MOSFETs
00-00079969

75 ₴
Нет в наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00
  или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
ULN2803A Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, NPN, 50 В, 2.25 Вт, 500 мА, 1000 hFE
00-00060653

247,50 ₴
Нет в наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00
  или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69

Транзисторы